每平方毫米内存比逻辑芯片更贵:DDR5与HBM的专利战
1b工艺DRAM晶圆每平方毫米的生产成本比台积电N2晶圆高54%。Netlist还把内存厂商和将内存进口到美国的企业告上了法庭。

韩国分析公司Kernel Insight测算,1b工艺DRAM晶圆每平方毫米的制造成本是0.654美元,台积电N2工艺晶圆是0.424美元。内存的结构更简单,不需要多重曝光,也不用极紫外光刻,单位面积成本却比最先进的逻辑芯片高54%。正常的价格关系被颠倒了。
原因是结构性的,不是技术性的。AI服务器需求吸走了产能。据中国钛媒体报道,一台AI服务器消耗的DRAM是传统服务器的8到10倍,NAND用量是传统服务器的三倍以上。三星、SK海力士和美光把先进制程中超过70%的新增产能转向利润更高的产品,也就是HBM和服务器内存,消费级DDR5的产能因此被挤掉。1b工艺还用来生产AI加速器所用HBM3E堆栈的基础芯片。
价格因此迟迟回不到常态。SK海力士总裁反复说,没有内存就没有AI产业。宏碁董事长陈俊圣预测价格会涨到2027年年中,但短缺不会持续到2030年。
另一侧的需求却可能比出现时消失得更快。DeepSeek在发布V4.1-Flash时宣布,新架构和上下文记忆压缩把HBM需求降到四分之一,把SSD需求降到此前水平的八分之一。对内存供应商来说这是警告:当前一部分需求来自模型效率低下,而不是请求数量。
法律也加入了进来。9月23日,美国国际贸易委员会就DRAM内存及含该内存的产品启动337-TA-1523调查。申诉方是Netlist,点名美光、慧与、联想和Supermicro。这家公司有胜诉记录。SK海力士在2021年向其支付4000万美元。陪审团2023年判三星赔偿3.03亿美元,一年后又判1.18亿美元,2024年判美光赔偿4.45亿美元。Netlist此前已就DDR5和HBM模块提起诉讼。7月以来还有337-TA-1511调查在进行,被告包括英伟达、博通和谷歌。每一桩案子都是成本,早晚会落到内存价格上。
专利战是推高价格的第二个机制,不太显眼。后续的和解与判决金额以数亿美元计,被计入经营成本,这些成本早晚会进入面向终端客户的内存报价。再加上紧张的产能平衡,决定模块可得性的就不只是数据中心的需求,还有法律风险。对采购AI服务器的一方来说,这是又一个理由:趁价格再次上涨之前签长期合同、锁定供应。
资料来源
3本文所有数字与引语均来自下列来源,未添加来源之外的内容。
本内容由编辑部在人工智能辅助下制作完成。
评论
0- 还没有评论——来说两句吧。