内存：DRAM 1b 每平方毫米成本比台积电 N2 高 54%

这个反差不符合直觉。DRAM 内存的制造本该比尖端处理器更简单，成本也更低。韩国咨询机构 Kernel Insight 的数据却给出相反的结果。中国网站IT之家转引了这些数据：DRAM 1b 晶圆每平方毫米成本为 0.654 美元，台积电 N2 工艺晶圆为 0.424 美元，差距 54%。

两种技术，两种复杂度

1b 节点指 10 纳米以下的 DRAM 世代，密度约为每平方毫米 0.436 吉比特。这些晶圆用来生产 DDR5 模组。台式机内存条容量从 16 到 64 吉字节，有时做到 128 甚至 512 吉字节。笔记本电脑内存也在其中。服务器端则是 RDIMM 和 LRDIMM 模组，每条最高 256 吉字节，整机内存容量可达 12 太字节。这部分产能中有一部分还为 AI 加速器的堆叠内存提供基础裸片。

台积电 N2 工艺需要双重曝光和 EUV 光刻。理论上，更简单的产品生产成本应该更低。实际发生的却是相反的情况。原因是周期性的：AI 服务器建设带来内存全面短缺。

AI 需求的影响

大型 AI 服务器项目同时消耗高带宽内存和大容量 DDR5 模组，而三大内存厂商的产能扩张落后于需求。SK 海力士负责人公开提醒，AI 产业离开内存无法存在，集团正在加快新一代产能的部署。不过，IT之家援引宏碁董事长的话说，短缺不会持续到 2030 年，但价格还会继续上涨，到 2027 年年中才会缓和。

这种涨价效应波及整条产业链。在意大利，行业观察者指出，AI 推高了芯片成本，账单最终落到企业和消费者身上。

制造更简单的元件可以更贵：当 AI 需求占满产能，价格就不再取决于技术难度，而取决于稀缺程度。