Nittobo的T-glass供应吃紧，AI数据中心的瓶颈卡在上游

谈AI加速器供应，多数人从GPU和晶圆厂说起。承载这些芯片的封装，底层材料却少有人提。Tom's Hardware在3月9日报道，日本公司Nittobo控制着全球约90%的特种玻纤布T-glass供应，需求已经超出它的产能。

T-glass是一种低CTE玻纤布，用在IC载板的有机芯层，也就是芯片与印刷电路板之间的互连层。封装越大、发热越高，就越要靠它保持尺寸稳定，而封装正变得越来越密。E-glass能做类似的事，成本也更低，但最终用在微控制器和较老的移动处理器上。大型2.5D和3D封装，也就是先进AI加速器，首选T-glass。这种材料需要专用电熔炉，运行温度在1600到1700摄氏度之间。工艺要熔化富硅玻璃、拉丝成纱、织成超薄布，扩大规模需要多年投资和经验。没人能一夜之间建起一条新的T-glass产线。

为什么产线没法更快开起来

Nittobo正在把日本福岛工厂的产能提高到三倍，但新增供应要到2027年年中才能进入市场。

市场已经重新定价。据Tom's Hardware，价格上涨了20%到30%，覆铜板等下游材料的交期从正常的8到10周拉长到20周以上。元大证券分析师Bill Ho说：“T-glass供应现在更加紧张，供应商已经不再给出交期。”

跟踪IC载板供应链的Yole Group分析师Bilal Hachemi对Tom's Hardware Premium表示，替换T-glass并不简单。他说，它“具有特定的介电常数和CTE值，更适合AI芯片，尤其是有机芯层”。Hachemi还指出这个行业的利润很薄：“增层材料、ABF材料或T-glass的需求只要上升，就可能造成短缺，因为这违背了这个行业的基本面。”

封装越大，用料越多

这轮吃紧比正常周期更尖锐，原因在于买家是谁。超大规模厂商订购的芯片封装越来越大，单位用料随之增加。同一款AI加速器每一代都用更大的中介层和更复杂的载板，材料消耗直接跟着涨。Tom's Hardware引用的英伟达数据显示，中介层面积在Hopper架构上是814mm2，在Blackwell上是1700mm2，增长了109%，即将到来的Rubin和Feynman世代还会进一步扩大。

美国银行估计，Nittobo电子材料部门的销售额将从2025年的409亿日元，约合2.66亿美元，到2028年3月几乎翻倍至877亿日元，营业利润率接近48%。美国银行研究分析师Takashi Enomoto说：“T-glass布的需求很可能比原先预期的增长更多。过去关注点一直是GPU和CPU半封装用厚T-glass的需求增长，但现在，随着尖端器件从E-glass转向超薄T-glass，超薄T-glass的需求可能上升。”

争夺配额已经开始。Hachemi称英伟达直接去找上游材料供应商是前所未有的。他说：“我们第一次看到英伟达这个终端客户主动接触上游材料供应商，以确保拿到产能，确保自己拿得到货。”

Nittobo把织布外包给竞争对手

公司并没有坐等。除了福岛扩产，Nittobo还在把台湾工厂的原丝产能翻倍，再把纱运回日本织成布。它还和南亚塑胶达成合作，把一部分织造外包出去。

这笔交易本身就说明市场有多紧：Nittobo正在和自己最大的竞争对手之一合作来缓解瓶颈。根据公司披露，到2027年，Nittobo大约20%的玻纤布预计由南亚织造。

在这样的背景下，加速器管线的其他环节按各自的节奏推进。在Hot Chips 2026上，d-Matrix展示了面向生成式推理的Raptor 3D-DRAM加速器，它用36微米面对面堆叠，把一颗台积电N4逻辑裸片叠在3D DRAM裸片之上。公司称，72张卡的scale-up可以承载Kimi K3这样的前沿模型，上下文长度1M，单卡容量32GB，权重4位，KV缓存8位。

微软在同一场会议上详细介绍了第二代Maia 200加速器，这是一颗3nm芯片，1400亿晶体管，6堆HBM3e，HBM带宽每秒7TB，TDP 750瓦，FP4性能1万TFLOPS。微软说，这颗芯片在128个机架、6000颗芯片上使用全scale-up组网，配有定制网卡和互连协议。

这些是同一个问题的不同答案：推理在解码阶段受内存限制，所以每瓦带宽和原始算力同样重要。而当前真正的约束，在所有这一切底下的封装材料上。Nittobo的产能要到2027年年中才能落地，在那之前，买家只能争抢一家公司基本掌控的供应。