Mémoire sous pression : l'enquête 337-TA-1523 et un wafer 1b DRAM 54 % plus cher
La Commission du commerce international des États-Unis a ouvert une enquête pour brevets visant la DDR5. En parallèle, les analystes montrent que les wafers mémoire 1b DRAM coûtent déjà plus cher au millimètre carré que les wafers logiques les plus avancés.

La mémoire vive est devenue l'un des points les plus inflammables de la chaîne d'approvisionnement. Le 23 septembre, la Commission du commerce international des États-Unis (ITC) a annoncé l'ouverture d'une enquête au titre de la section 337 visant certains dispositifs DRAM et produits dérivés. L'affaire porte le numéro 337-TA-1523. La plainte a été déposée le 11 août par la société Netlist.
Qui sont les parties au litige
Netlist accuse Micron Technology, Micron Semiconductor Products, Hewlett Packard Enterprise, Lenovo, Lenovo US et Supermicro d'avoir violé quatre brevets américains. Le grief porte sur l'importation ou la vente de certaines puces DRAM, mais aussi de serveurs, de systèmes informatiques et de baies qui contiennent cette mémoire. La société demande une ordonnance de limitation de l'importation et une injonction de cesser la vente. L'ITC précise que la simple ouverture de l'enquête ne vaut pas constat de contrefaçon. Le périmètre de l'affaire couvre les modules DIMM de génération DDR5 et les appareils qui les intègrent.
Netlist n'est pas un fabricant de mémoire au sens classique. Son modèle s'est déplacé vers la monétisation de la propriété intellectuelle, avec de nombreux litiges de brevets. L'historique des décisions montre l'efficacité de cette stratégie. En 2021, SK Hynix a payé 40 millions de dollars pour un accord et signé un contrat de licence croisée de cinq ans. En 2023, un jury a accordé environ 303 millions de dollars contre Samsung. En 2024, une autre affaire avec Samsung s'est soldée par 118 millions. Micron a été condamné à 445 millions de dollars dans une autre procédure.
Le mécanisme de pression
La section 337 fonctionne autrement qu'une action en contrefaçon ordinaire : sa force repose sur l'accès au marché. Une fois la contrefaçon établie, l'ITC peut bloquer l'importation et couper ainsi le produit de son plus grand débouché. Netlist avait déjà utilisé cet outil. Le 30 septembre 2025, il a déposé une plainte visant les modules DDR5 DIMM et la mémoire HBM contre Samsung, Google et Supermicro. Le 16 juin 2026, il en a déposé une autre, citant notamment Nvidia et Broadcom. En juillet, l'ITC a ouvert la procédure 337-TA-1511.
L'autre face : les prix
La pression juridique se superpose à la pression de l'offre. Selon les données du cabinet d'analyse coréen Kernel Insight, le wafer 1b DRAM coûte 0,654 dollar le millimètre carré. Le wafer N2 produit par TSMC est évalué à 0,424 dollar, soit 54 % de moins, alors que le N2 exige des expositions multiples et la lithographie EUV. La raison est du côté de l'offre. La construction de serveurs d'IA absorbe de la mémoire HBM et des modules DDR5 de grande capacité. Or les trois plus grands fabricants de mémoire augmentent leurs capacités plus lentement que la demande. Le patron de SK Hynix affirme que l'industrie de l'IA ne peut exister sans mémoire. Le président d'Acer, Chen Wei, prévoit que la pénurie ne durera pas jusqu'en 2030, mais que les prix augmenteront jusqu'au milieu de l'année 2027. C'est seulement alors, selon les analystes, que le marché pourra revenir à l'équilibre.
La pression sur les capacités de production apparaît dans les plans d'investissement. En Corée du Sud, SK Hynix et Samsung se disputent des terrains dans le cluster de semi-conducteurs de Honam et à Gwangju. Sur 826 hectares réservés au parc industriel, environ 208 hectares sont prêts à être aménagés immédiatement. Neuf cycles de discussions menés de juillet à septembre de cette année ont porté principalement sur la localisation et le rythme. Le calendrier prévoit la préparation des terrains en 2027, les premières livraisons d'énergie et d'eau d'ici fin 2028, et le lancement de la production de masse en juin 2030. L'investissement de Samsung à Yongin doit démarrer plus tôt, en octobre 2029.
L'économie de la mémoire a basculé en faveur des fabricants. Le coût du wafer 1b DRAM atteint 0,654 dollar le millimètre carré, soit 54 % de plus que celui du wafer TSMC en procédé N2, évalué à 0,424 dollar. L'expansion de l'IA absorbe la mémoire HBM et les modules DDR5 à grande capacité, et les capacités des trois plus grands fabricants ne suivent pas la demande. Le litige de brevets avec Netlist n'est donc qu'un des fronts de la bataille pour la marge.
Sources
3- 01美国对内存芯片发起337调查,美光、联想等涉案ZH
- 02全球内存短缺:报告称 1b DRAM 晶圆每平方毫米成本较台积电 N2 溢价 54%ZH
- 03加码半导体扩产节奏,消息称 SK 海力士、三星敲定全南-光州芯片项目规划ZH
Tous les chiffres et citations de ce texte proviennent des sources citées ci-dessous.
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