EDN：台积电2nm月产能到2026年底或达12万片

EDN周一发布的报道经Investing.com转载。报道称，苹果、英伟达、AMD、高通和联发科等客户近期把对台积电2nm家族的订单提高了10%至20%。12万片这个数字来自业内人士的估算，台积电并未披露。报道援引台积电资深副总经理侯永清的说法称，台积电2026年将有五座2nm晶圆厂投产，两座在新竹，三座在高雄。

侯永清说，2nm投产第一年的晶圆产量将比2023年3nm投产第一年高出45%。报道给出的2nm产能年复合增速为2026年至2028年70%。据Wccftech，12万片意味着台积电接近原先预计到2027年底才会达到的每月11万至14万片。

据GuruFocus，高性能计算占台积电2026年第二季度营收的66%，一年前为60%。7nm及以下制程占晶圆营收的77%，其中2nm占3%。

高雄率先量产

量产已于2025年第四季度启动。台积电是在其2nm技术页面上披露的，没有发新闻稿；页面写明N2“已于4Q25开始量产”。TechSpot报道称，高雄附近的Fab 22最先启动，而此前外界预计先投产的是新竹附近、紧邻台积电全球研发中心的Fab 20。Fab 20现在预计稍后开始量产。eeNews Europe指出，台积电把Fab 20和Fab 22都列为2nm生产基地。

从高雄起步，与台积电惯常的爬坡路线不同。公司通常先用较小的手机芯片导入新制程，再扩展到高性能计算产品。TechSpot报道称，这一轮同时覆盖两类产品，既有智能手机设计，也有AI和HPC芯片。首席执行官魏哲家在2025年10月的财报电话会上说，台积电预计“2026年爬坡更快，靠的是智能手机和HPC AI两方面的应用”。

N2改变了什么

据TechSpot，N2是台积电第一代采用环绕栅极纳米片晶体管的制程，取代了此前节点使用的FinFET设计。栅极包住沟道，静电控制更紧，漏电流更低。与N3E相比，台积电的目标是同功耗下性能提升10%至15%，或同性能下功耗降低25%至30%。在同时包含逻辑、模拟和SRAM的混合设计中，密度提升约15%，纯逻辑版图最高提升20%。

N2还在供电网络中加入超高性能金属绝缘体金属电容。据TechSpot，台积电称其电容密度是上一代电容设计的两倍以上，同时把薄层电阻和通孔电阻减半。eeNews Europe指出，对单个产品而言，真正决定结果的是设计规则、单元库、SRAM和I/O组合。

成本与后续节点

据Barchart报道，台积电曾表示2nm爬坡会在2026年下半年拖累毛利率约3至4个百分点。Seeking Alpha把海外工厂的摊薄单列为另一项拖累，预计扩大到3%至4%。公司对2026年第三季度毛利率的指引为65%至67%，低于第二季度的67.7%。据TechTimes报道，第二季度毛利率环比上升1.5个百分点，营收为新台币12700亿，即402亿。

据TechTimes报道，台积电把2026年资本支出指引从520亿至560亿上调到600亿至640亿，其中70%至80%用于先进制程。据Digitimes报道，台积电预计第四季度营收为523亿至543亿，同比增长最高61%，年底由加速的2nm生产支撑。

N2P在N2基础上进一步提升性能和功耗表现，计划于2026年下半年量产。A16采用台积电的Super Power Rail背面供电，时间表相同，面向供电网络密集的HPC产品，TechSpot报道称。