La Commissione europea approva 319 milioni di aiuti austriaci per l'impianto GaN di Infineon a Villach

La Commissione ha dato il via libera il 27 ottobre, lo stesso giorno in cui Infineon ha annunciato l'investimento in una conferenza stampa a Vienna. Infineon spenderà circa 1,1 miliardi di euro fino al 2034 per riconvertire le camere bianche già esistenti a Villach alla produzione in volume di semiconduttori di potenza al nitruro di gallio su wafer da 300 mm. L'avvio della produzione è previsto entro la fine del 2027.

L'aiuto copre poco meno del 29 per cento del totale, ha detto il ministro dell'Economia austriaco Wolfgang Hattmannsdorfer. La Commissione lo ha autorizzato nell'ambito del Chips Act europeo. Il Ministero austriaco per gli Affari economici, l'Energia e il Turismo deve ancora emettere l'impegno formale di finanziamento, che secondo Infineon arriverà entro i termini previsti.

Secondo la Commissione l'aiuto sostiene l'ampliamento dello stabilimento esistente gestito da Infineon Technologies Austria AG. Il progetto dovrebbe portare benefici ai settori collegati grazie alla collaborazione transfrontaliera con università e istituti di ricerca e a un accesso più facile per le start-up e le piccole e medie imprese.

Il cancelliere Christian Stocker lo ha definito uno dei maggiori investimenti singoli nella storia dell'industria high-tech austriaca. Infineon Austria ha circa 5.800 dipendenti, di cui circa 4.800 a Villach. L'amministratrice delegata di Infineon Austria Sabine Herlitschka ha detto che l'investimento da 1,1 miliardi di euro non creerà nuovi posti di lavoro ma difenderà quelli esistenti, riferisce la dpa. Ha aggiunto che lo stabilimento aiuterà a trasformare la ricerca in produzione industriale e a sostenere l'occupazione altamente qualificata.

L'azienda sta trasformando Villach in un centro di competenza globale per i semiconduttori di potenza. Il progetto sfrutta le camere bianche già presenti a Villach, il che secondo Infineon rende l'ampliamento economico ed efficiente. È molto più piccolo della nuova fabbrica di Dresda, aperta in estate e costata circa 5 miliardi di euro, il maggiore investimento singolo nella storia dell'azienda.

Perché il GaN su 300 mm conta

Il GaN è un materiale a banda larga proibita. I transistor che se ne ricavano commutano più velocemente e dissipano meno energia rispetto agli equivalenti in silicio, così gli alimentatori possono essere più piccoli e scaldare meno. Infineon punta ai data center per l'intelligenza artificiale, alle infrastrutture energetiche, alla mobilità elettrica, alla robotica e all'elettronica di consumo.

La dimensione del wafer è l'argomento commerciale. Secondo Infineon un wafer da 300 mm rende circa 2,3 volte più chip di uno da 200 mm. TechTimes riferisce che Infineon punta alla parità di costo tra gli interruttori di potenza in GaN e i MOSFET in silicio con la stessa resistenza di conduzione sotto circa 650 volt. Se il conto torna, il GaN potrebbe diventare la scelta predefinita nei caricabatterie rapidi, negli alimentatori dei server e nei caricabatterie di bordo delle auto elettriche.

L'ostacolo produttivo

Il GaN non si coltiva come cristallo massiccio. Viene depositato in uno strato sottile su un wafer di silicio con un processo ad alta temperatura chiamato MOCVD. Tra GaN e silicio c'è un disallineamento reticolare di circa il 17 per cento. Quando il wafer si scalda e si raffredda, i due materiali si dilatano in modo diverso e lo stress cresce con il diametro.

Gli ingegneri di Infineon descrivono lo stress a 300 mm come quattro elefanti da circa cinque tonnellate ciascuno in piedi su una moneta da un centesimo di euro. Se il processo sfugge, il wafer si deforma o il film di GaN si crepa. Il Centro di competenza per l'epitassia del GaN di Villach ha messo a punto strati tampone e controlli di processo che tengono a bada lo stress.

Infineon ha lavorato i primi wafer GaN da 300 mm due anni prima dell'annuncio di Villach e a settembre 2024 ha annunciato la produzione in linea pilota. Il progetto di Villach trasforma quella linea pilota in produzione di volume. Si appoggia alle infrastrutture per il silicio da 300 mm già esistenti invece di costruire una fabbrica GaN da zero.

Mercato e concorrenza

L'Europa copre solo circa il 10 per cento della produzione mondiale di chip, ha detto Hattmannsdorfer. Ogni posto di lavoro nel settore dei chip può sostenerne altri sei nel resto dell'economia, ha aggiunto. Yole Group stima che il mercato dei semiconduttori di potenza in GaN arriverà a circa 3,5 miliardi di dollari entro il 2031, crescendo intorno al 35 per cento l'anno.

La concorrenza si sta spostando. TSMC, il maggiore produttore di chip conto terzi al mondo, prevede di uscire dal business delle fonderia GaN entro la metà del 2027, in parte per la pressione sui prezzi dei rivali cinesi, secondo TrendForce. La cinese Innoscience è la più nota di queste sfidanti. Anche Navitas, STMicroelectronics e Texas Instruments lavorano su chip di potenza in GaN. Infineon scommette che il suo anticipo sui wafer da 300 mm le darà un vantaggio di costo.

Cosa succede adesso

La produzione comincia alla fine del 2027 e, secondo Infineon, la rampa sarà allineata alla domanda del mercato invece che a un obiettivo di volume fisso. L'azienda sostiene che l'impianto sarà il primo al mondo a produrre elettronica di potenza in GaN in volume su wafer da 300 mm, affermazione che la Commissione ripete nell'approvazione.

Infineon pubblica i risultati del quarto trimestre e dell'intero 2026 il 10 novembre, il prossimo appuntamento in calendario sul business. L'azienda indica la data come provvisoria nel proprio calendario finanziario.