La Commission européenne approuve une aide autrichienne de 319 millions d'euros pour l'usine GaN d'Infineon à Villach

La Commission a validé l'aide le 27 octobre, le jour même où Infineon a annoncé l'investissement lors d'une conférence de presse à Vienne. Le groupe consacrera environ 1,1 milliard d'euros d'ici 2034 à la modernisation des salles blanches existantes de Villach, pour y produire en volume des semi-conducteurs de puissance au nitrure de gallium sur tranches de 300 mm. La production doit démarrer d'ici fin 2027.

L'aide couvre un peu moins de 29 % du total, a déclaré le ministre autrichien de l'Économie Wolfgang Hattmannsdorfer. La Commission l'a autorisée au titre du règlement européen sur les puces. Le ministère fédéral autrichien de l'Économie, de l'Énergie et du Tourisme doit encore délivrer un engagement de financement formel. Infineon l'attend dans les délais prévus.

Selon la Commission, l'aide soutient l'extension de l'usine existante exploitée par Infineon Technologies Austria AG. Le projet devrait produire des retombées dans des secteurs connexes, grâce à des collaborations transfrontalières avec des universités et des instituts de recherche, et à un meilleur accès pour les start-up et les petites et moyennes entreprises.

Le chancelier Christian Stocker y voit l'un des plus gros investissements de l'histoire de l'industrie technologique autrichienne. Infineon Austria emploie environ 5 800 personnes, dont près de 4 800 à Villach. Sabine Herlitschka, patronne d'Infineon Austria, a indiqué à la dpa que l'investissement de 1,1 milliard d'euros ne créerait pas d'emplois nouveaux mais sécuriserait les postes existants. L'usine doit aider à faire passer la recherche en production industrielle et à maintenir un emploi très qualifié.

L'entreprise transforme Villach en centre d'excellence mondial pour les semi-conducteurs de puissance. Le projet s'appuie sur les salles blanches déjà présentes sur le site, ce qui, selon Infineon, rend l'extension rentable et efficace. Il reste bien plus petit que la nouvelle usine de Dresde, ouverte cet été pour environ 5 milliards d'euros, le plus gros investissement de l'histoire du groupe.

Pourquoi le GaN sur 300 mm compte

Le GaN est un matériau à large bande interdite. Les transistors qui en sont faits commutent plus vite et perdent moins d'énergie que leurs équivalents en silicium, ce qui permet des alimentations plus compactes et plus froides. Infineon vise les centres de données pour l'IA, les infrastructures énergétiques, la mobilité électrique, la robotique et l'électronique grand public.

La taille des tranches est l'argument commercial. Infineon affirme qu'une tranche de 300 mm fournit environ 2,3 fois plus de puces qu'une tranche de 200 mm. TechTimes rapporte qu'Infineon vise la parité de coût entre ses interrupteurs de puissance GaN et les MOSFET silicium, à résistance passante équivalente, sous environ 650 volts. Si c'est tenu, le GaN pourrait devenir la norme dans les chargeurs rapides, les alimentations de serveurs et les chargeurs embarqués des véhicules électriques.

L'obstacle industriel

Le GaN ne se cultive pas en cristal massif. On le dépose en couche mince sur une tranche de silicium, par un procédé à haute température appelé MOCVD. Le GaN et le silicium présentent un désaccord de maille d'environ 17 %. Quand la tranche chauffe puis refroidit, les deux matériaux se dilatent à des rythmes différents et les contraintes augmentent avec le diamètre.

Les ingénieurs d'Infineon décrivent la contrainte à 300 mm comme quatre éléphants de cinq tonnes chacun posés sur une pièce d'un centime d'euro. Une erreur et la tranche se déforme ou le film de GaN se fissure. Le centre de compétences d'Infineon pour l'épitaxie GaN à Villach a mis au point des couches tampon et des contrôles de procédé qui maîtrisent ces contraintes.

Infineon a traité ses premières tranches GaN de 300 mm deux ans avant l'annonce de Villach et a annoncé une production en ligne pilote en septembre 2024. Le projet de Villach fait passer cette ligne pilote en production de volume. Il réutilise l'infrastructure silicium 300 mm existante plutôt que de bâtir une usine GaN de zéro.

Marché et concurrence

L'Europe ne représente qu'environ 10 % de la production mondiale de puces, a souligné Hattmannsdorfer. Chaque emploi de l'industrie des puces peut, selon lui, soutenir six emplois supplémentaires dans le reste de l'économie. Yole Group prévoit que le marché des semi-conducteurs de puissance GaN atteindra environ 3,5 milliards de dollars d'ici 2031, avec une croissance d'environ 35 % par an.

La concurrence se déplace. TSMC, premier fondeur mondial, prévoit de quitter le métier de fonderie GaN d'ici mi-2027, en partie à cause de la pression sur les prix exercée par les rivaux chinois, rapporte TrendForce. Le chinois Innoscience est le plus en vue de ces challengers. Navitas, STMicroelectronics et Texas Instruments travaillent aussi sur des puces de puissance GaN. Infineon parie que son avance sur les tranches de 300 mm lui donnera un avantage de coût.

La suite

La production doit démarrer fin 2027, et Infineon précise que la montée en cadence suivra la demande du marché plutôt qu'un objectif de volume fixe. L'entreprise affirme que l'usine sera la première au monde à produire en volume de l'électronique de puissance GaN sur tranches de 300 mm, une affirmation que la Commission reprend dans sa décision.

Infineon publie ses résultats du quatrième trimestre et de l'exercice 2026 le 10 novembre, sa prochaine échéance prévue. Le groupe inscrit cette date comme provisoire dans son calendrier financier.