Komisja Europejska zatwierdziła 319 mln euro austriackiej pomocy dla fabryki GaN Infineonu w Villach

Komisja zatwierdziła pomoc 27 października, tego samego dnia, w którym Infineon ogłosił inwestycję na konferencji prasowej w Wiedniu. Do 2034 r. firma wyda około 1,1 mld euro na modernizację istniejących sal czystych w Villach, by produkować tam półprzewodniki mocy z azotku galu na płytkach 300 mm. Produkcja ma ruszyć do końca 2027 r.

Pomoc pokrywa nieco mniej niż 29 proc. całości, powiedział austriacki minister gospodarki Wolfgang Hattmannsdorfer. Komisja zgodziła się na nią w ramach unijnego aktu o chipach. Austriackie Federalne Ministerstwo Gospodarki, Energii i Turystyki musi jeszcze wydać formalne zobowiązanie do finansowania. Według Infineona nastąpi to w przewidzianych terminach, jak podaje firma.

Komisja podała, że pomoc wspiera rozbudowę istniejącego zakładu Infineon Technologies Austria AG. Projekt ma przynieść korzyści w powiązanych sektorach dzięki współpracy transgranicznej z uczelniami i instytutami badawczymi oraz lepszemu dostępowi dla startupów oraz małych i średnich przedsiębiorstw.

Kanclerz Christian Stocker nazwał inwestycję jedną z największych w historii austriackiej branży high-tech. Infineon Austria zatrudnia około 5 800 osób, z czego około 4 800 w Villach. Dyrektor generalna Infineon Austria Sabine Herlitschka powiedziała, że inwestycja o wartości 1,1 mld euro nie stworzy nowych miejsc pracy, ale utrzyma istniejące, podała dpa. Dodała, że zakład pomoże przenosić wyniki badań do produkcji przemysłowej i utrzymać zatrudnienie wysoko wykwalifikowanych pracowników.

Firma rozbudowuje Villach w globalne centrum doskonałości w dziedzinie półprzewodników mocy. Projekt wykorzystuje istniejące pomieszczenia czyste w Villach, co według Infineona czyni rozbudowę opłacalną i efektywną. Jest znacznie mniejszy niż nowa fabryka Infineona w Dreźnie, otwarta latem, która kosztowała około 5 mld euro, największa inwestycja w historii firmy.

Dlaczego GaN na 300 mm ma znaczenie

Azotek galu to materiał o szerokiej przerwie energetycznej (wide-bandgap). Tranzystory z niego przełączają się szybciej i tracą mniej energii niż krzemowe odpowiedniki, więc zasilacze mogą być mniejsze i chłodniejsze. Infineon celuje w centra danych do AI, infrastrukturę energetyczną, elektromobilność, robotykę i elektronikę użytkową.

Argumentem handlowym jest rozmiar płytki. Według Infineona z płytki 300 mm wychodzi około 2,3 razy więcej chipów niż z płytki 200 mm. TechTimes podaje, że Infineon chce zrównać koszty przełączników GaN i krzemowych MOSFET-ów przy porównywalnej rezystancji w stanie przewodzenia poniżej około 650 V. Jeśli to się uda, GaN może stać się domyślnym wyborem w szybkich ładowarkach, zasilaczach serwerowych i ładowarkach pokładowych aut elektrycznych.

Przeszkoda w produkcji

GaN nie rośnie jako monokryształ. Nakłada się go cienką warstwą na płytkę krzemową w wysokotemperaturowym procesie MOCVD. Niedopasowanie sieci krystalicznej GaN i krzemu wynosi około 17 proc. Gdy płytka się nagrzewa i chłodzi, oba materiały rozszerzają się w różnym tempie, a naprężenia rosną wraz ze średnicą.

Inżynierowie Infineona opisują naprężenie przy 300 mm jako cztery słonie ważące po około pięć ton, stojące na monecie jednocentowej. Jeśli coś pójdzie nie tak, płytka się wygina albo warstwa GaN pęka. Centrum Kompetencji Epitaksji GaN w Villach opracowało warstwy buforowe i kontrolę procesu, które pozwalają te naprężenia opanować.

Infineon przetworzył pierwsze płytki GaN 300 mm dwa lata przed ogłoszeniem projektu w Villach, a we wrześniu 2024 r. ogłosił produkcję pilotażową. Projekt w Villach zamienia tę linię w produkcję wielkoseryjną (volume manufacturing). Wykorzystuje istniejącą infrastrukturę krzemową 300 mm zamiast budowy fabryki GaN od zera.

Rynek i konkurencja

Europa odpowiada tylko za około 10 proc. światowej produkcji chipów, powiedział Hattmannsdorfer. Według niego każde miejsce pracy w branży chipów może utrzymać sześć dodatkowych miejsc pracy w całej gospodarce. Yole Group prognozuje, że rynek półprzewodników mocy z GaN osiągnie około 3,5 mld dol. do 2031 r., rosnąc o około 35 proc. rocznie.

Konkurencja się zmienia. TSMC, największy na świecie producent kontraktowy chipów, planuje wycofać się z biznesu odlewni GaN do połowy 2027 r., częściowo z powodu presji cenowej ze strony chińskich rywali, podał TrendForce. Najbardziej znaczącym z tych rywali jest chiński Innoscience. Nad chipami mocy z GaN pracują też Navitas, STMicroelectronics i Texas Instruments. Infineon liczy, że wczesne przejście na płytki 300 mm da mu przewagę kosztową.

Co dalej

Produkcja ma ruszyć pod koniec 2027 r., a Infineon zapowiada, że tempo zwiększania produkcji będzie dopasowane do popytu, a nie do sztywnego celu wolumenowego. Firma twierdzi, że zakład będzie pierwszym na świecie, który produkuje elektronikę mocy z GaN na płytkach 300 mm na dużą skalę. To samo powtarza Komisja w decyzji zatwierdzającej pomoc.

Infineon poda wyniki czwartego kwartału i całego 2026 r. 10 listopada. To najbliższa zaplanowana publikacja wyników firmy. W kalendarzu finansowym spółka oznacza tę datę jako tymczasową.