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Samsung, il 12 novembre la posa della prima pietra dell'impianto HBM di Asan

Samsung prevede di posare la prima pietra dell'impianto Onyang n. 5, la struttura per il packaging HBM del campus di Asan, il 12 novembre. Lo riporta Sammy Fans. L'impianto rientra in un piano da 113.000.000.000.000 di won per il polo dei semiconduttori di Chungcheong.

TecnologiaNotiziaGiulia FerrariPubblicato: 6 novembre 20264 min di letturaFonti 25
Samsung, il 12 novembre la posa della prima pietra dell'impianto HBM di Asan

La posa della prima pietra prevista per il 12 novembre

Alla cerimonia sono attesi il presidente Jay Y. Lee e il vicepresidente Jun Young-hyun, insieme ai responsabili degli altri principali settori di Samsung, secondo Sammy Fans. La nuova struttura, l'impianto Onyang n. 5, sarà dedicata al packaging HBM. L'HBM è un chip di memoria ad alta velocità che i sistemi di intelligenza artificiale usano per elaborare rapidamente grandi quantità di dati.

Il campus di Onyang è operativo dal 1991 e oggi si occupa di test e controlli di qualità sui semiconduttori. A nuovo impianto completato, la superficie totale aumenterà di circa il 56%, da 270.000 a 420.000 metri quadrati, secondo Sammy Fans. Samsung ha stanziato 113.000.000.000.000 di won per trasformare la regione di Chungcheong in un polo tecnologico e produttivo per i semiconduttori. Di questa somma, 46.000.000.000.000 di won sono destinati nei prossimi anni agli impianti di packaging HBM.

Perché il packaging è il collo di bottiglia

Gizmochina ha riferito a settembre che l'HBM è il segmento di memoria con i risultati migliori per Samsung, con margini molto superiori a quelli delle DRAM standard. Secondo il rapporto, gli impianti di packaging esistenti a Cheonan e Onyang non hanno spazio sufficiente per far crescere contemporaneamente i moduli tradizionali e il packaging HBM avanzato. Samsung sta riassegnando superficie e attrezzature in quei siti all'HBM e agli altri tipi di packaging legati all'AI.

Lo stesso rapporto parlava di un nuovo impianto HBM da 6.000.000.000.000 di won (circa 4.300.000.000 di dollari) a Onyang, la cui costruzione sarebbe dovuta partire a breve, con la piena produzione ancora a qualche anno di distanza. Non lo identificava però come l'impianto Onyang n. 5. Sammy Fans non ha indicato né il costo né una data di completamento per l'impianto n. 5.

Liberare spazio significa spostare altrove il lavoro più vecchio. Da metà 2025 Samsung spinge i partner OSAT a espandere le linee di moduli DDR5 e SSD, e di recente ha chiesto loro di accelerare, secondo Gizmochina. Dreamtech sta convertendo il suo impianto Noida 1 in una linea per moduli di memoria, con l'obiettivo di superare i 50.000.000 di unità all'anno. Hanyang Digitech ha investito oltre 31.500.000.000 di won in nuove attrezzature e automazione in Vietnam. SFA Semicon nelle Filippine sta rilevando le macchine per test e assemblaggio DDR5 trasferite da Onyang, con l'avvio delle attività previsto a novembre.

I die DRAM arrivano ancora dalle fonderie di Samsung. Ai partner vanno solo l'assemblaggio finale e il packaging, secondo il rapporto. L'offerta di DRAM è già tesa e, secondo il rapporto, questo ha reso più difficile costruire nuovi PC, server, smartphone e laptop.

Domanda e prossimi passi

Samsung prevede che la sua offerta di HBM cresca in media del 52% ogni anno nei prossimi tre anni, secondo Sammy Fans. Wccftech ha riferito che gli acquisti di vetro portante da parte di Samsung, usato nella produzione di DRAM per l'assemblaggio HBM, saliranno a 50.000 unità al mese nel 2027 dalle 20.000 attuali. Nel 2025 erano 10.000 unità al mese. Wccftech ha anche riferito che Samsung ha fornito campioni di HBM a Nvidia e che, secondo i media, sta valutando il processo a 2 nanometri per i die di base dell'HBM.

Light Reading ha riferito che l'utile operativo del gruppo Samsung ha raggiunto 107.400.000.000.000 di won (80.000.000.000 di dollari) nel terzo trimestre, quasi otto volte il livello di un anno prima, grazie alla domanda di AI che ha alimentato il boom dei chip di memoria.

La cerimonia del 12 novembre è il prossimo appuntamento con una data fissata. Per l'impianto Onyang n. 5 non è stata comunicata alcuna data di completamento.

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Fonti

25
  1. 01Samsung's plan to boost HBM production with new Asan plantEN
  2. 02Memory boom carries Samsung to another bumper quarterEN
  3. 03Samsung offloading DRAM production to allocate factory space to AI memoryEN
  4. 04Samsung Might Boost HBM4 Chip Production 2.5x by 2027 as Redhot AI Chip Demand ContinuesEN
  5. 05Micron to invest $24 billion in Singapore plant as AI boom strains global memory supply - CNBCEN
  6. 06Groq boosts Samsung Foundry output as Nvidia drives Korea inference push - ChosunbizEN
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Tutti i numeri e le citazioni di questo testo provengono dalle fonti elencate sotto.

I contenuti sono stati preparati dalla redazione con il supporto dell'IA.

Giulia Ferrari

Giulia Ferrari

IA, modelli e tecnologie

Giulia Ferrari scrive di tecnologia, IA e modelli e media e internet per FLASH24, partendo da dataset pubblici, preprint e registri di versioni dei modelli. Controlla ogni numero confrontando benchmark dichiarati e risultati riproducibili, e scarta le stime senza fonte. Segue le audizioni in calendario, parla con ricercatori e ingegneri, e mette a confronto release e changelog prima di pubblicare. Fuori dalla redazione smonta stampanti 3D, recupera vecchi computer e studia come i modelli imparano dai rifiuti del web. Non pubblica un dato se non può ricostruirne il percorso.

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