AI加速器的瓶颈正在下移，落在玻璃布和3D DRAM上

Nittobo正在把日本福岛工厂的产能提高到原来的三倍。但据Tom's Hardware 3月9日报道，新增供应要到2027年年中才能进入市场。这种材料的价格已经上涨20%到30%，下游覆铜板的交货周期从正常的8到10周拉长到20周以上。

T-glass是一种低CTE玻璃布，用在IC基板的有机芯层里，也就是芯片与印制电路板之间的互连层。它让面积大、发热高的芯片封装保持尺寸稳定。AI处理器越做越大、运行越来越热，这一点就变得更重要。更便宜的替代品E-glass主要用于微控制器和老款移动处理器这类低端芯片。大型2.5D和3D封装则首选T-glass。性能合适，又几乎没有替代品，这种小众材料于是成了供应链上的卡点。供应之所以紧张，还得看需求来自谁。超大规模厂商订购的芯片封装越来越大，每颗所需的T-glass也越来越多。

据Tom's Hardware援引的英伟达数据，中介层尺寸已从Hopper架构的814mm²增长到Blackwell的1,700mm²，增幅109%，Rubin和Feynman还会继续放大。元大证券分析师Bill Ho对这家媒体说：“T-glass供应如今更加紧张，供应商已经不再提供交货周期。”

替换并不简单。跟踪IC基板供应链的Yole Group分析师Bilal Hachemi表示，T-glass“具有特定的介电常数和CTE数值，对AI芯片更合适，尤其是在有机芯层上”。他还说，基板行业历来利润微薄，所以即使需求只是温和上升，也可能引发短缺。

Nittobo的应对不止于福岛。它正在把台湾工厂的纱线产能翻倍，再把纱线运回日本织成布，并与南亚塑胶达成合作，把部分织造外包出去。到2027年，预计约20%的Nittobo玻璃布将由竞争对手南亚织造。市场有多紧，由此可见。美国银行估计，Nittobo电子材料部门的销售额将从2025年的409亿日元（2.66亿美元）增长近一倍，到2028年3月达到877亿日元，营业利润率接近48%。

与此同时，加速器设计者正从另一个方向进攻内存墙。据ServeTheHome报道，在Hot Chips 2026上，d-Matrix展示了Raptor，这是一款面向生成式推理的3D DRAM加速器，用36 um面对面堆叠，把台积电N4逻辑裸片叠在3D DRAM裸片之上。该公司设计的72卡纵向扩展机架要承载Kimi K3这类前沿模型、上下文长度100万，每卡32GB，采用4位权重和8位KV缓存。

垂直堆叠的理由是能耗。片上SRAM每比特大约消耗50 fJ，而计入芯片级能耗的2.5D HBM4系统在2.5到5 pJ区间。垂直3D IO约为0.3到0.4 pJ，比HBM低约10倍，因为它是无需PHY的毫米级通路，而不是厘米级的中介层走线。d-Matrix给出的HBM4封装实际带宽上限约为20 TB/s。

微软在Maia 200上走了另一条路。据ServeTheHome从同一场会议发回的报道，这颗3nm芯片有1400亿个晶体管、6组HBM3e、7TB/s的HBM带宽、1万TFLOPS的FP4性能和750瓦TDP。它没有横向扩展网络，只有纵向扩展，演示配置为128个机架、6000颗芯片。

研究项目指向更远的未来。据斯坦福工程学院介绍，斯坦福、卡内基梅隆、宾夕法尼亚大学、麻省理工和SkyWater Technology在美国一家晶圆厂造出了首颗单片3D芯片，原型性能约为同类2D芯片的四倍，而更高设计的模拟显示，在AI负载上最多可提升十二倍。