Dostawy HBM4 od SK hynix poniżej oczekiwań w trzecim kwartale

To już drugie takie rozczarowanie z rzędu, po podobnym niedoborze w drugim kwartale. Analitycy wskazują na częściowe opóźnienie harmonogramu premiery akceleratora Rubin od Nvidii oraz na dłuższe niż zakładano dostrajanie wydajności seryjnie produkowanego HBM4.

Mimo to SK hynix ma wciąż pokazać rekordowy zysk operacyjny za trzeci kwartał. Konsensus domów maklerskich to 76,964 bln won przy marży operacyjnej około 78,4%, o 5,6% mniej niż 815122 bln won trzy miesiące wcześniej. Szacunki wahają się od 70,1 bln won w DS Investment Securities do 80,1 bln won w Meritz Securities.

Samsung zmniejsza dystans w przychodach z HBM

Counterpoint Research oszacował udział SK hynix w przychodach z HBM na 58% w pierwszym kwartale i 50% w drugim. Samsung Electronics w tym samym czasie przeszedł z 21% na 33%, zmniejszając różnicę z 37 punktów procentowych do 17.

Prognozy wskazują w tę samą stronę. JPMorgan przewidywał, że udział SK hynix w HBM spadnie z 60% w 2025 r. do 46% w tym roku i 41% w przyszłym. UBS spodziewa się, że w przyszłym roku Samsung wyprzedzi SK hynix pod względem dostaw liczonym w bitach, z 41% wobec 39%.

Dlaczego harmonogram się przesunął

TrendForce w raporcie z czerwca podał, że SK hynix przesunął termin seryjnej produkcji HBM4 na trzeci kwartał z powodu opóźnień w certyfikacji i problemów z synchronizacją interfejsu. Firma obniżyła też roczną prognozę dostaw HBM4, bo moce produkcyjne przeszły na zwykłe DRAM, takie jak DDR5 i LPDDR5.

DS Investment Securities obniżył cenę docelową akcji SK hynix z 3,1 mln won do 2,64 mln won w raporcie z września. Jako główny powód podał kurs wona do dolara, obok struktury produktów i momentu rozpoznawania przychodów w trakcie zmiany generacji HBM.

Przedstawiciel branży urządzeń półprzewodnikowych powiedział Chosun Biz, że udział SK hynix w dostawach dla Nvidii najprawdopodobniej zacznie spadać od HBM4. Opierał się na wskaźnikach nakładów inwestycyjnych i produkcji HBM4.

Co SK hynix faktycznie wysłał

SK hynix podał podczas telekonferencji o wynikach za drugi kwartał, że seryjne dostawy HBM4 do głównych klientów ruszyły w drugim kwartale, a wydajność i jakość zbliżają się do poziomu HBM3E. Na konferencji Hot Chips Lee Jae-sik, wiceprezes ds. inżynierii pakowania w SK hynix America, potwierdził, że 12-warstwowy HBM4 jest w seryjnej produkcji, a wersja 16-warstwowa weszła do kwalifikacji u klientów.

Firma pokazała 48GB, 16-warstwowy HBM4 na targach CES w styczniu, o jedną trzecią więcej pojemności niż w modelu 36GB z 12 warstwami. Samsung wysyła komercyjny HBM4 od lutego, w wersjach 12-warstwowych o pojemności do 36GB.

Counterpoint Research podał, że większość produktów opartych na Rubinie prawdopodobnie użyje 12-warstwowego HBM4, a nie konfiguracji 8-warstwowej, na którą wskazywał w sierpniu. Ośmiowarstwowy Rubin zmniejszyłby ilość pamięci przypadającej na akcelerator i uwolnił moce dla zwykłego DRAM; 12 warstw utrzymuje presję.

Raport firmy śledzącej łańcuchy dostaw Silicon Analysts z września podał, że SK hynix rozpoczął seryjne dostawy 16-warstwowego HBM4 dla Rubina. Spółka publicznie nie potwierdziła tych dostaw. Na konferencji technologicznej TSMC w tym samym miesiącu pokazała superchip Rubin z 12-warstwowym HBM4 o pojemności 36GB, a wersję 16-warstwową wystawiła osobno.

Pakowanie i moce waferowe

SK hynix potwierdził na Hot Chips, że jego proces MR-MUF przejdzie do generacji HBM4E, a przejście na wiązanie hybrydowe ma nastąpić dopiero z HBM5. Lee wskazał wiązanie hybrydowe jako technologię potrzebną dla stosów powyżej 16 warstw, do 20 i więcej, bo wyższe stosy oznaczają cieńsze układy i trudniejszy kompromis między wyginaniem a odprowadzaniem ciepła.

Drugim ograniczeniem są moce. Wyprodukowanie jednego modułu HBM4 zużywa około trzech razy więcej mocy waferowej niż odpowiednia ilość zwykłego DRAM, wynika z raportu KB Securities z września. Układy HBM trzeba dodatkowo łączyć z GPU przez zaawansowane pakowanie, na przykład proces chip-on-wafer-on-substrate w TSMC, więc ograniczone moce pakowania mogą ściąć podaż gotowych akceleratorów, nawet gdy pamięci jest dość.

Samsung podał w styczniu, że popyt klientów na 16-warstwowy HBM4 był bardzo ograniczony i nie widzi potrzeby komercjalizacji tej wersji, bo w tym roku planował pokazać próbki 12-warstwowego HBM4E o równoważnej pojemności. Dodał, że ma już technologię budowy 16-warstwowych pakietów na poziomie gotowym do seryjnej produkcji.

Co dalej

LS Securities utrzymał rekomendację kupuj dla SK hynix, ale obniżył cenę docelową o 27,3%, z 3,3 mln won do 2,4 mln won, i ściął szacunek marży operacyjnej na HBM w 2027 r. z około 80% do około 60%. Broker zaznaczył, że obniżka odzwierciedla korektę nadmiernej rentowności, a nie spowolnienie popytu na HBM, i nazwał marżę 60% poziomem, który utrzymają i klienci, i dostawcy.

Konsensus zysku operacyjnego na czwarty kwartał to 872701 bln won, więcej niż w trzecim kwartale. Analitycy spodziewają się, że wkład HBM4 w przychody SK hynix wzrośnie od czwartego kwartału, gdy zostaną rozpoznane dostawy DRAM przesunięte z trzeciego kwartału.

Samsung podał podczas telekonferencji o wynikach za drugi kwartał, że przychody z HBM4 w trzecim kwartale wzrosną ponad trzykrotnie wobec poprzedniego kwartału, a HBM4 będzie odpowiadać za ponad 60% przychodów z HBM w drugim półroczu.

DigiTimes Taiwan podał, że SK hynix może przesunąć część tegorocznych zamówień na sprzęt do obróbki końcowej HBM4 na 2027 r., a plany inwestycyjne na przyszły rok nie zostały jeszcze ustalone. Cytowani przez ad-hoc-news obserwatorzy branży twierdzą, że przesunięte dostawy nie oznaczają ani wad jakościowych, ani szerokiego zakłócenia produkcji HBM4. SK hynix poda szczegółowe wyniki za trzeci kwartał 27 października.